KT-PE500ZPECVD射頻模塊是借助(zhu)于輝光放電(dian)等方法(fa)產生等離(li)子(zi)體(ti)，輝光放電(dian)等離(li)子(zi)體(ti)中：電(dian)子(zi)密度高(gao)109-1012cm3電(dian)子(zi)氣(qi)體(ti)溫度比普通氣(qi)體(ti)分(fen)子(zi)溫度高(gao)出(chu)10-100倍(bei)，使含有薄膜組成的(de)(de)氣(qi)態物質(zhi)發生化學反(fan)(fan)應(ying)(ying)(ying)，從而(er)實現薄膜材料生長的(de)(de)一種(zhong)新的(de)(de)制備技術。通過反(fan)(fan)應(ying)(ying)(ying)氣(qi)態放電(dian)，有效地利(li)用了(le)非(fei)平衡等離(li)子(zi)體(ti)的(de)(de)反(fan)(fan)應(ying)(ying)(ying)特征，從根本(ben)上改變(bian)了(le)反(fan)(fan)應(ying)(ying)(ying)體(ti)系的(de)(de)能量供給方式低溫熱等離(li)子(zi)體(ti)化學氣(qi)相(xiang)沉(chen)積法(fa)具(ju)有氣(qi)相(xiang)法(fa)的(de)(de)所有優點，工藝流程簡(jian)單，與(yu)傳統(tong)(tong)CVD系統(tong)(tong)比較，生長溫度更低，管輝光均(jun)勻等效，薄膜均(jun)勻沉(chen)積。

PECVD射頻模塊產品參數：