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上海實驗(yan)室(shi)真空(kong)PECVD射頻模塊薄(bo)(bo)膜均勻(yun)(yun)沉(chen)積通(tong)過(guo)反應(ying)氣態放電，有效(xiao)地利用了非平衡等離子(zi)體(ti)的(de)反應(ying)特征，從根本上改變了反應(ying)體(ti)系的(de)能量供給方式低溫熱等離子(zi)體(ti)化(hua)學氣相沉(chen)積法具有氣相法的(de)所(suo)有優點，工(gong)藝(yi)流程簡單，與傳統CVD系統比較，生長溫度更低，管輝光均勻(yun)(yun)等效(xiao)，薄(bo)(bo)膜均勻(yun)(yun)沉(chen)積。

PECVD射頻模塊通過(guo)反應(ying)氣態放電，有(you)效(xiao)地利用了非平衡等離(li)子體的(de)反應(ying)特征，從根本上改變(bian)了反應(ying)體系(xi)的(de)能量供(gong)給(gei)方式低溫(wen)熱等離(li)子體化學(xue)氣相(xiang)沉積(ji)法具有(you)氣相(xiang)法的(de)所有(you)優(you)點(dian)，工藝流程(cheng)簡單，與傳統CVD系(xi)統比(bi)較，生長(chang)溫(wen)度(du)更低，管輝光均(jun)勻等效(xiao)，薄膜均(jun)勻沉積(ji)。