PECVD簡介

   上海實驗室真空PECVD射頻模(mo)塊薄膜均勻沉積(ji)PECVD是借助于輝(hui)光(guang)放(fang)電(dian)等(deng)(deng)方法產(chan)生等(deng)(deng)離子(zi)(zi)體，輝(hui)光(guang)放(fang)電(dian)等(deng)(deng)離子(zi)(zi)體中：電(dian)子(zi)(zi)密度高(gao)109-1012cm3電(dian)子(zi)(zi)氣(qi)體溫度比普通(tong)氣(qi)體分子(zi)(zi)溫度高(gao)出(chu)10-100倍，使含有薄膜組(zu)成的氣(qi)態物質發(fa)生化學(xue)反應，從而實現(xian)薄膜材料生長的一種新的制備技術。

  上海實驗室(shi)真(zhen)空(kong)PECVD射(she)頻模塊薄膜(mo)均(jun)勻沉積(ji)通過反(fan)(fan)應(ying)氣(qi)態(tai)放電，有(you)效地(di)利(li)用(yong)了(le)非平衡等離(li)(li)子體的(de)反(fan)(fan)應(ying)特(te)征，從根本上改變了(le)反(fan)(fan)應(ying)體系的(de)能量供給方式(shi)低溫(wen)熱等離(li)(li)子體化(hua)學氣(qi)相(xiang)沉積(ji)法具有(you)氣(qi)相(xiang)法的(de)所有(you)優點，工藝(yi)流程簡單，與(yu)傳統CVD系統比較，生長溫度更低，管輝光(guang)均勻等效，薄膜均勻沉積。

上海實驗(yan)室PECVD射頻模塊(kuai)薄膜均勻(yun)沉積

KT-PE150S  性能參數