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產品簡介
以(yi)銅(tong)(tong) (Cu) 濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)靶(ba)材(cai)為例(li).在制備銅(tong)(tong)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)靶(ba)時(shi),不可(ke)避免地會(hui)引入硫、鉛等其他雜質(zhi)含(han)量.微(wei)量的硫可(ke)以(yi)防止熱加工(gong)時(shi)晶粒尺(chi)寸增大或產(chan)生微(wei)裂紋;但當硫元素(su)(su)含(han)量高于18 ppm時(shi),會(hui)出現(xian)微(wei)裂紋;隨著兩種雜質(zhi)元素(su)(su)(硫和鉛)，銅(tong)(tong)靶(ba)材(cai)鍍膜濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)儀(yi)KT-Z1650PVD為臺(tai)式(shi)磁(ci)控濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)鍍膜機，儀(yi)器結(jie)構緊湊(cou)，全自動(dong)控制，設計符(fu)合人體工(gong)程學(xue)，所得結(jie)果一致，可(ke)重復性高。
| 品牌 | 鄭科探 | 濺射氣體 | 根據需求氣體 |
|---|---|---|---|
| 樣品臺尺寸 | φ50mm | 控制方式 | 觸摸屏智能控制 |
| 樣品倉尺寸 | φ160x160mm | 靶材尺寸 | 50mm |
| 靶材材質 | 金 鉑 銅 銀 | 價格區間 | 1-5萬 |
| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 化工,電子 |
銅靶材Cu target 鄭科探小型(xing)磁控濺射(she)靶材鍍膜銅膜料顆粒銅
以銅 (Cu) 濺射靶材(cai)為例(li).在制備銅濺射靶(ba)時,不(bu)可避免地(di)會引入硫(liu)、鉛等其他(ta)雜(za)質含量.微(wei)(wei)量(liang)的硫可以防止熱加工時晶粒(li)尺(chi)寸增大或產生(sheng)微(wei)(wei)裂(lie)紋;但(dan)當(dang)硫元素(su)含量高(gao)于(yu)18 ppm時,會出現微裂紋(wen);隨(sui)著兩種雜質元素(硫和鉛)含量的增加,靶(ba)材裂(lie)紋的(de)數(shu)量和電弧(hu)放電的(de)數(shu)量會增加.因此,應盡可能降(jiang)低靶材中(zhong)的雜質含(han)量,以(yi)提高薄(bo)膜的均勻性(xing)。
銅靶材鍍膜濺射儀
應用領域：
離子濺射儀在掃描電鏡中(zhong)應用(yong)十(shi)分廣泛，通過(guo)向樣(yang)品(pin)(pin)表面噴鍍金(jin)、鉑、鈀及混合(he)靶材(cai)等金(jin)屬消除不導(dao)電樣(yang)品(pin)(pin)的荷電現(xian)象，并(bing)提(ti)高觀(guan)測效率，另外可(ke)以使用(yong)噴碳附(fu)件對(dui)樣(yang)品(pin)(pin)進行蒸碳，實(shi)現(xian)不導(dao)電樣(yang)品(pin)(pin)的能譜(pu)儀元(yuan)素定(ding)性(xing)和半定(ding)量分析。
銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；
| 控制方式 | 7寸人機界面(mian) 手動 自動模式切換控制 |
| 濺射(she)電(dian)源(yuan) | 直流濺射電源 |
| 鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換(huan)功(gong)率及(ji)擋(dang)板位和(he)樣品速(su)度程序 |
| 功率 | ≤1000W |
| 輸出電(dian)壓電(dian)流 | 電(dian)壓≤1000V 電(dian)流(liu)≤1A |
| 真空 | 機(ji)械泵(beng) ≤5Pa（5分鐘） 分子泵(beng)≤5*10^-3Pa |
| 濺射真空 | ≤30Pa |
| 擋板類型 | 電(dian)控 |
| 真空腔室 | 石英(ying)+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
| 樣品(pin)臺 | 可旋轉φ62 （可安裝φ50基底） |
| 樣品臺轉速 | 8轉(zhuan)/分鐘 |
| 樣品濺(jian)射源調(diao)節距離 | 40-105mm |
| 真空測量(liang) | 皮拉(la)尼真空計（已安裝 測量范圍(wei)10E5Pa 1E-1Pa） |
| 預留真(zhen)空接口(kou) | KF25抽氣口(kou) KF16放氣口(kou) 6mm卡套(tao)進氣口(kou) |
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