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高溫(wen)真空探(tan)針臺KT-Z1604TZ，可單選高溫(wen)或低溫(wen)等相應組件，溫(wen)度(du)可達到400℃。以便測(ce)(ce)量分析溫(wen)度(du)變化時芯片(pian)性能參數的(de)變化。腔體(ti)內被測(ce)(ce)芯片(pian)在(zai)真空環境中有效避免易受氧化半導體(ti)器件接觸空氣所帶來的(de)測(ce)(ce)試結果(guo)誤差。

真(zhen)空(kong)(kong)手(shou)動(dong)(dong)探(tan)(tan)針(zhen)臺變溫(wen)射頻探(tan)(tan)針(zhen)熱臺該腔體設計有進氣口(kou)和抽真(zhen)空(kong)(kong)接(jie)口(kou)其真(zhen)空(kong)(kong)度(du)用機械泵(beng)可(ke)(ke)達＜5Pa分子(zi)泵(beng)可(ke)(ke)達＜-3Pa。真(zhen)空(kong)(kong)信號(hao)(hao)連接(jie)處(chu)(chu)使用高級真(zhen)空(kong)(kong)電(dian)(dian)極(ji)信號(hao)(hao)接(jie)頭，保證氣密性及抗干擾性能。使用時將需將待檢測的器件方在加熱臺面，探(tan)(tan)針(zhen)頂尖(jian)處(chu)(chu)由(you)3軸可(ke)(ke)移(yi)動(dong)(dong)探(tan)(tan)針(zhen)手(shou)動(dong)(dong)調(diao)節(jie)移(yi)動(dong)(dong)至被測試(shi)器件的引腳處(chu)(chu)，外部信號(hao)(hao)線連接(jie)測試(shi)儀(yi)器來測試(shi)電(dian)(dian)學信號(hao)(hao)。